Каталог / ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ

Физико-химические основы получения гетероэпитаксиальных слоев Cd x Hg1-x Te из паров ртути и алкильных соединений кадмия и теллура

Диссертация

Автор: Моисеев, Александр Николаевич

Заглавие: Физико-химические основы получения гетероэпитаксиальных слоев Cd x Hg1-x Te из паров ртути и алкильных соединений кадмия и теллура

Справка об оригинале: Моисеев, Александр Николаевич. Физико-химические основы получения гетероэпитаксиальных слоев Cd x Hg1-x Te из паров ртути и алкильных соединений кадмия и теллура : диссертация ... доктора химических наук : 02.00.19 Нижний Новгород, 1999 335 c. : 71 00-2/33-0

Физическое описание: 335 стр.

Выходные данные: Нижний Новгород, 1999









Похожие работы:
  • Осаждение эпитаксиальных слоев p-CdxHg1-xTe из паров ртути, диметилкадмия и алкильных соединений теллура на подложках из арсенида галлия
  • Осаждение эпитаксиальных слоев p-Cd_x Hg_1-x Te из паров ртути, диметилкадмия и алкильных соединений теллура на подложках из арсенида галлия
  • Физико-химические основы синтеза и глубокой очистки летучих соединений кремния, кадмия, теллура и цинка
  • Физико-химические закономерности формирования наноструктурированных металлических и оксидных слоев в процессах химического осаждения из паров соединений металлов с органическими лигандами
  • Физико-химические основы синтеза палладиевых катализаторов для получения термолабильных органических соединений сложной структуры
  • Физико-химические закономерности экстракции комплексных соединений ртути(II) производными пиразолона
  • Лазерно-индуцированные физико-химические процессы и осаждение элементов из паров металлоорганических соединений
  • Физико-химические основы технологии получения монокристаллов и поликристаллических пленок широкозонных полупроводниковых соединений группы A2B6 с управляемыми свойствами
  • Физико-химические основы получения высокочистого фосфина
  • Физико-химические основы получения чистых фосфорсодержащих солей